GaNのRFデバイスの開発者、クリーは、準備レベル8（MRL 8）指定を製造する米国国防総省（国防総省）を得ています。

GaNのモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）の生産すると授与される、この指定は国防に欠かせないアイテムのため、確実な手頃な価格で商業的に実現可能な生産能力と能力を提供するために、クリーの能力を検証します。

指定は、シリコンカーバイド生産能力プログラムに国防総省の国防生産法（DPA）タイトルIII窒化ガリウムのクリーの正常終了時に付与されました。

「クリーはDPAタイトルIII事務所が求めることを企業の使命対応能力を例示し、「マークBuffler、国防長官のオフィス内のディレクター、国防生産法タイトルIIIプログラムは述べています。「これらの官民パートナーシップの重要な目的は、私たちの国防米国の防衛産業基盤の経済的、技術競争力を強化しながら、ために不可欠の製品や材料のための保証、手頃な価格で商業的に実現可能な生産能力と能力の作成です。 "

炭化ケイ素レーダ/電子戦MMIC生産能力プロジェクトをするために必要な製造プロセスを評価し、絞り込むように構造化された上で統合されたプログラム·チーム（IPT）が率いる共同官民パートナーシップの努力を通じて資金を、3年間、マルチフェーズのGaNフルレートMMICの生産機能をサポートしています。

IPTは、空軍研究所マテリアル生産総局（AFRL / RX）人員、クリーのエンジニアと製造の専門家や政府のコンサルタントを選択で構成されていた。

プログラムは、防衛、製造、産業基地政策（MIBP）の次官補代理によって管理され、米空軍、国防総省内のエグゼクティブエージェントによって投与した。政府の直接資金$ 18万ドルとクリー·ファンド$ 3.5万ドルで資金援助を受けて、国防プログラムは$ 21.5百万官民パートナーシップの努力を占めた。

2010以来、クリーは、国防総省と商業市場の両方のための高度なGaN技術の米国最大のサプライヤーの一つとなって、500万人以上のMMICおよびデバイスを出荷しています。この間、フィールド内の約40億デバイス時間は、フィールド化条件の下でクリーの製造プロセスの優れた堅牢性と結果物としてのデバイスを検証10億デバイス時間当たりのより少ない10の失敗に関連する、業界をリードするFITレートで蓄積された。

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