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MRFX1K80H:1800〜1.8MHzで400W CW、65V広帯域RFパワーLDMOSトランジスタ
MRFX1K80H:1800〜1.8MHzで400W CW、65 V広帯域RFパワーLDMOSトランジスタ説明MRFX1K80Hは、使いやすさに重点を置いた新しい65 VLDMOSテクノロジに基づく最初のデバイスです。 この高耐久性トランジスタは、高VSWRの産業、科学、医療アプリケーション、ラジオおよびVHF TV放送、サブGHz航空宇宙、およびモバイルラジオアプリケーションで使用するために設計されています。 その比類のない入力および出力設計により、1.8〜400 MHzの広い周波数範囲での使用が可能です。MRFX1K80Hは、プラスチックバージョンのMRFX1K80N、MRFE6VP61K25HおよびMRFE6VP61K25N(1250 W @ 50 V)、およびMRF1K50HおよびMRF1K50Hとピン互換(同じPCB)です。 MRF1500K50N(XNUMX W @ XNUMXV)。 特徴
Detail
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
MRFX1K80H:1800〜1.8MHzで400W CW、65V広帯域RFパワーLDMOSトランジスタ
説明
MRFX1K80Hは、新しい65 VLDMOSテクノロジーに基づく最初のデバイスです。 使いやすさに焦点を当てています。 この高耐久性トランジスタは、高耐久性で使用するために設計されています VSWR産業、科学、医療アプリケーション、およびラジオとVHF TV 放送、サブGHz航空宇宙、およびモバイル無線アプリケーション。 その比類のない入力と 出力設計により、1.8〜400MHzの広い周波数範囲での使用が可能になります。MRFX1K80Hは、プラスチックバージョンのMRFX1K80Nとピン互換(同じPCB)で、 MRFE6VP61K25HおよびMRFE6VP61K25N(1250 W @ 50 V)、およびMRF1K50HおよびMRF1K50N(1500 W @ 50 V)。
特徴
●新しい65V LDMOSテクノロジーに基づいており、使いやすさを考慮して設計されています
●拡張された電力範囲で30〜65Vの特性
●比類のない入力と出力
●信頼性と高効率アーキテクチャを強化するための高絶縁破壊電圧
●高いドレイン-ソースアバランシェエネルギー吸収能力
●高い耐久性。 65:1VSWRを処理します。
●RoHS対応
●オーバーモールドプラスチックパッケージの低熱抵抗オプション:MRFX1K80N
アプリケーション
●産業・科学・医療(ISM)●レーザー生成
●プラズマ生成
●粒子加速器
●MRI、RFアブレーション、スキンケア
●産業用暖房、溶接、乾燥システム
●ラジオ・VHFテレビ放送
●航空宇宙
●HF通信
●レーダー
パッケージは下記のものを含んで
1xMRFX1K80H RFパワーLDMOSトランジスタ
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
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