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MRF148ARFパワーMOSFETトランジスタ
MRF148A RF パワー MOSFET トランジスタの説明 MRF148A は、周波数 5 ～ 175 MHz、電力 44.77 dBm、電力 (W) 29.99 W、ゲイン 18 dB、電力ゲイン (Gp) 15 ～ 18 dB の RF トランジスタです。 タグ: フランジ。 MRF148A の詳細については、以下をご覧ください。 一般パラメータ ●CW/パルス=CW ●周波数=5～175MHz ●パワー=44.77dBm ●パワー(W)=29.99W ●ゲイン=18dB ●パワーゲイン(Gp)=15～18dB ●電源電圧=50V ●スレッショルド電圧=1～5Vdc ●ドレインゲート電圧=120Vdc ●ブレークダウン電圧タグ - ドレイン-ソース間 =125 V ●電圧 - ゲート - ソース間 (Vgs) =40 Vdc ●漏れ電流 =100 nAdc (ゲート本体漏れ) 特長
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 78 | 1 | 0 | 78 | 航空便 |
MRF148ARFパワーMOSFETトランジスタ
DESCRIPTION
MRF148Aは、周波数5〜175 MHz、電力44.77 dBm、電力（W）29.99 W、ゲイン18 dB、電力ゲイン（Gp）15〜18dBのRFトランジスタです。 タグ：フランジ。 MRF148Aの詳細については、以下をご覧ください。
一般的なパラメータ
●CW /パルス= CW●周波数= 5〜175 MHz
●電力= 44.77 dBm
●電力（W）= 29.99 W
●ゲイン= 18 dB
●パワーゲイン（Gp）= 15〜18 dB
●供給電圧= 50 V
●しきい値電圧= 1〜5 Vdc
●ドレインゲート電圧= 120 Vdc
●絶縁破壊電圧-ドレイン-ソース= 125 V
●電圧-ゲート-ソース（Vgs）= 40 Vdc
●漏れ電流= 100 nAdc（ゲート本体漏れ）
商品特徴
●PG = 15 dBTyp。 30 W / 175MHzで●ηD= 50％Typ。 30 W / 30MHzで
●オムニゴールドメタライゼーションシステム
申し込み
●業界●放送
●航空宇宙・防衛、
●レーダー
●イズム
●ラジオ
●コマーシャル
パッケージは下記のものを含んで
1xMRF148ARFトランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 78 | 1 | 0 | 78 | 航空便 |
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