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FMUSER1pcsオリジナルの新しいMRF141GRFパワーMOSFETトランジスタ
FMUSER1pcsオリジナルの新しいMRF141GRFパワーMOSFETトランジスタの説明175MHzまでの周波数でのブロードバンド商用および軍事アプリケーション向けに設計されています。 このデバイスの高出力、高ゲイン、およびブロードバンドパフォーマンスは、FM放送またはTVチャネルの周波数帯域のソリッドステート送信機および増幅器に特に役立ちます。 特徴●175MHz、28Vでの保証性能：●出力電力：300W●ゲイン：12dB（14dB標準）●効率：50％●低熱抵抗：0.35°C / W●定格出力での耐久性試験●窒化物不動態化ダイ強化された信頼性仕様●トランジスタ極性：Nチャネル●技術：Si●Id-連続ドレイン電流：32 A
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 168 | 1 | 0 | 168 | DHL |
FMUSER1pcsオリジナル新品 MRF141G RFパワーMOSFETトランジスタ
説明
175MHzまでの周波数でのブロードバンド商用および軍事アプリケーション向けに設計されています。 ハイパワー、ハイ このデバイスのゲインとブロードバンドパフォーマンスは、FM放送またはTVチャンネルの周波数に特に役立ちます バンドソリッドステート送信機および増幅器。
特徴
●175MHz、28Vで保証された性能：●出力電力：300W
●ゲイン：12dB（14dB Typ。）
●効率：50％
●低熱抵抗：0.35°C / W
●定格出力でテストされた耐久性
●信頼性を高めるための窒化物不動態化ダイ
●トランジスタ極性： Nチャンネル
●検出技術： Si
●Id-連続ドレイン電流： 32 A
●Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧： 65 V
●動作周波数： 175 MHz
●利得： 12 dB
●出力電力： 300 W
●最小動作温度： -65 C
●最高使用温度： + 150℃
●取り付け様式： SMD / SMT
●パッケージ/ケース： 375-04
●Pd-電力損失： 500 W
●Vgs-ゲート-ソース電圧： 40 V
●Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧： 3 V
アプリケーション
●航空宇宙および防衛●ISM
パッケージが含まれます
1x MRF141G RFパワートランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 168 | 1 | 0 | 168 | DHL |
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