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FMUSERオリジナルの新しいMGF2430ARFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタ
FMUSERオリジナルの新しいMGF2430ARFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタ説明MGF2430A、Nチャネルショットキーゲートを備えたGaAs FETは、LからKuバンドの増幅器用に設計されています。 特徴●高出力電力P1dB = 30.5dBm（TYP）@ f = 14.5GHz●高線形ゲインGLP = 6.5dB（TYP。）@ f = 14.5GHz●高電力付加効率P.AE = 27％（TYP。）@ f = 14.5 GHz、P1dB●ハーメチックシールされた金属パッケージアプリケーション●L〜Kuバンドパワーアンプの場合品質●線引き推奨バイアス条件●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500●絶対最大定格●VGDOゲート間電圧●VGSOゲート間電圧●IDSSサトゥ
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 69 | 1 | 0 | 69 | 航空便 |
FMUSERオリジナルの新しいMGF2430ARFパワートランジスタパワーMOSFET トランジスタ
DESCRIPTION
MGF2430A、Nチャネルショットキーゲートを備えたGaAs FETは、LからKuバンドの増幅器用に設計されています。
商品特徴
●高出力電力P1dB = 30.5dBm（TYP）@ f = 14.5GHz
●高線形ゲインGLP = 6.5dB（TYP。）@ f = 14.5GHz
●高電力付加効率P.AE = 27％（TYP。）@ f = 14.5GHz、P1dB●密閉された金属パッケージアプリケーション
●LからKuバンドのパワーアンプの場合QUALITY
●IGOUTLINE 図面
推奨されるバイアス条件
●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500●絶対最大定格
●VGDOゲート-ソース間電圧
●VGSOゲートからソース電圧
●IDSS飽和ドレイン電流
●IGR逆ゲート電流
●IGF順方向ゲート電流
●PT * 1総消費電力
●Tchチャネル温度
●Tstg保管温度* 1：Tc = 25°C（Ta = 25°C）
パッケージは下記のものを含んで
1x MGF2430ARFパワートランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 69 | 1 | 0 | 69 | 航空便 |
