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MRFE6VP5300NRFパワーMOSFETトランジスタ
MRFE6VP5300N RFパワーMOSFETトランジスタ説明これらの高耐久性デバイス、MRFE6VP5300NR1およびMRFE6VP5300GNR1は、高VSWR産業用(レーザーおよびプラズマ励起装置を含む)、放送(アナログおよびデジタル)、航空宇宙および無線/陸上モバイルアプリケーションで使用するように設計されています。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。 特徴●広い動作周波数範囲●非常に頑丈●比類のない入力と出力により広い周波数範囲を利用可能●統合された安定性の強化●低い熱抵抗●統合されたESD保護回路●RoHS準拠●テープとリール。 R1サフィックス= 500ユニット、44 mmテープ幅、13インチリール。 主要なパラメトリック
Detail
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N RFパワーMOSFETトランジスタ
説明
これらの高耐久性デバイス、MRFE6VP5300NR1およびMRFE6VP5300GNR1は、高VSWR産業(レーザーおよびプラズマエキサイターを含む)、放送(アナログおよびデジタル)、航空宇宙およびラジオ/陸上モバイルアプリケーションで使用するために設計されています。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。特徴
●広い動作周波数範囲
●極端な頑丈さ
●幅広い周波数範囲の使用を可能にする比類のない入力と出力
●統合された安定性の強化
●低い熱抵抗
●統合ESD保護回路
●RoHS対応
●テープとリールで。 R1接尾辞= 500単位、44 mmテープ幅、13インチリール。
主なパラメーター
●周波数(最小)1.8(MHz)
●周波数(最大)600(MHz)
●供給電圧(Typ)50(V)
●P1dB(標準)54.8(dBm)
●P1dB(標準)300(W)
●出力電力(Typ)(W)@テスト信号での相互変調レベル300.0 @ CW
●テスト信号CW
●パワーゲイン(標準)25.0 @ 230(dB)@ f(MHz)
●効率(標準)70(%)
●熱抵抗(仕様)0.22(℃/ W)
パッケージは下記のものを含んで
1x MRFE6VP5300N RFトランジスタ
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |