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FMUSERオリジナルの新しいD1029UKRFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタデュアルNチャネルMOSFET、35 A、70 V、5ピンDR D1029UK
FMUSER オリジナルの新しい D1029UK RF パワー トランジスタ パワー MOSFET トランジスタ デュアル N チャネル MOSFET、35 A、70 V、5 ピン DR D1029UK の特長 広帯域アプリケーションに適したシンプルなアンプ設計 低ノイズ シンプルなバイアス回路 低ノイズ 高ゲイン -13 db 最小仕様属性/値 チャネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:35 A 最大ドレインソース電圧:70 V パッケージタイプ:DR 実装タイプ:パネルマウント ピン数:5 チャネルモード:エンハンスメント 最大ゲートしきい値電圧:7V 最大消費電力:438 Wトランジスタ構成:コモンソース 最大ゲート・ソース電圧:-20 V、+20 V チップあたりの素子数:2 最大動作温度:+200 °C
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 149 | 1 | 0 | 149 | DHL |
FMUSERオリジナルの新しいD1029UKRFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタデュアルNチャネルMOSFET、35 A、70 V、5ピンDR D1029UK
シンプルなアンプ設計
ブロードバンドアプリケーションに適しています
LOW クルス
シンプルなバイアス回路
低ノイズ
ハイゲイン-13デシベル最小
仕様
属性/値
チャネルタイプ：N
最大連続ドレイン電流：35A
最大ドレイン電源電圧：70V
パッケージタイプ：DR
取り付けタイプ：パネルマウント
ピン数：5
チャネルモード：拡張
最大ゲートしきい値電圧：7V
最大消費電力：438 W
トランジスタ構成：共通ソース
最大ゲート電源電圧：-20 V、+ 20 V
チップあたりの要素数：2
最高使用温度：+ 200°C
トランジスタ材質：Si
身長：5.08mm
幅：10.16mm
シリーズ：TetraFET
長さ：34.03mm
パッケージが含まれます：
1x MRF1K50HRFパワートランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 149 | 1 | 0 | 149 | DHL |
