知っておくべきパッシブトランスデューサの3つの主なタイプ

受動トランスデューサは、静電容量、抵抗、インダクタンスなどの受動電気量に変化をもたらす電子デバイスです。 

基本的に、パッシブトランスデューサは刺激の結果として余分な電気エネルギーを必要とします。

ただし、トランスデューサーのエンジニアであれば、日常業務でそれらを定義するだけでは十分ではなく、パッシブトランスデューサーのタイプや機能なども知る必要があります。

このページでは、3つのパッシブトランスデューサー、それぞれ抵抗トランスデューサー、誘導トランスデューサー、および容量性トランスデューサーを、それらが正確に何であるか、およびそれらがどのように機能するかという観点から紹介します。

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コンテンツ

● 抵抗膜トランスデューサとは何ですか？どのように機能しますか？

● 誘導トランスデューサとは何ですか？それはどのように機能しますか？

● 容量性トランスデューサーとは何ですか？それはどのように機能しますか？

● よくある質問
● まとめ

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抵抗膜トランスデューサとは何ですか？どのように機能しますか？

パッシブトランスデューサは 抵抗膜トランスデューサ、抵抗値の変動（変化）を生じたとき。 次の抵抗の式、金属導体のR。

ここで、

ρは導体の抵抗率です

lは導体の長さです

Aは導体の断面積です

の登場 抵抗トランスデューサの動作原理。 抵抗値は、XNUMXつのパラメータρ、l、Aに依存します。 

したがって、XNUMXつのパラメータρ、l、Aのいずれかの変動に基づいて抵抗トランスデューサを作成できます。これらXNUMXつのパラメータのいずれかが変動すると、抵抗値が変化します。

抵抗性トランスデューサの動作原理の考察

抵抗Rは、導体の抵抗率ρに正比例します。 したがって、導体の抵抗率、ρが抵抗値を増加させると、Rも増加します。 

同様に、導体の抵抗率として、ρρは抵抗値を減少させ、Rも減少します。

、Rは導体の長さlに正比例します。 

したがって、導体の長さlが増加すると、抵抗値が増加し、Rも増加します。 同様に、導体の長さlが抵抗値を減少させると、Rも減少します。

抵抗Rは、導体の断面積Aに反比例します。したがって、導体の断面積Aが増加すると、抵抗の値Rは減少します。 

同様に、導体の断面積Aが抵抗値を減少させると、Rは増加します。

抵抗変換器の例としては、LDR（光依存抵抗）、サーミスタ、LVDT（線形可変差動変圧器）、 ポテンショメーター、レオスタット、ひずみゲージなど。

誘導トランスデューサとは何ですか？それはどのように機能しますか？

パッシブトランスデューサは、インダクタンス値の変化（変化）を生成する場合、誘導トランスデューサと呼ばれます。 インダクタンスの次の式、インダクタのL。

式1

ここで、

Nはコイルの巻数です

Sはコイルの巻数です

次の磁気抵抗の式、コイルのS。

式2

ここで、

lは磁気回路の長さです

μはコアの透磁率です

Aは磁束が流れる磁気回路の面積です

式2の式1を代入します。

式3

式1と式3から、インダクタンス値はXNUMXつのパラメータN、S、μに依存すると結論付けることができます。 

したがって、XNUMXつのパラメーターN、S、およびμのいずれかの変動に基づいて誘導トランスデューサーを作成できます。 なぜなら、これらXNUMXつのパラメータのいずれかが変化すると、インダクタンス値が変化するからです。

インダクタンスLは、コイルの巻数のXNUMX乗に正比例します。 したがって、コイルの巻数に応じて、Nはインダクタンスの値を増加させ、Lも増加します。 

同様に、コイルの巻き数Nがインダクタンスの値を減少させると、Lも減少します。

インダクタンスLはコイルの磁気抵抗Sに反比例します。したがって、コイルの磁気抵抗Sはインダクタンスの値を増加させ、Lは減少します。 

同様に、コイルの磁気抵抗Sがインダクタンスの値を減少させると、Lは増加します。

インダクタンスLは、コアの透磁率μに正比例します。 したがって、コアの透磁率として、μμはインダクタンスの値を増加させ、Lも増加します。 

同様に、コアの透磁率μがインダクタンスの値を減少させると、Lも減少します。

容量性トランスデューサーとは何ですか？それはどのように機能しますか？

パッシブトランスデューサは容量性トランスデューサと呼ばれ、 トランスデューサーの一種、静電容量値の変動（変化）が発生した場合。 平行平板コンデンサの静電容量Cは次式です。

ここで、

εは誘電率または誘電率です

AはXNUMX枚のプレートの有効面積です

dはXNUMX枚のプレートの有効面積です

静電容量の値は、XNUMXつのパラメータε、A、dに依存します。 したがって、XNUMXつのパラメータε、A、dのいずれかの変動に基づいて容量性トランスデューサを作成できます。 

なぜなら、これらXNUMXつのパラメータのいずれかが変化すると、静電容量の値が変化するからです。

静電容量Cは、誘電率εに正比例します。 したがって、誘電率として、εεは静電容量の値を増加させ、Cも増加します。 

同様に、誘電率として、εは静電容量の値を減少させ、Cも減少します。

静電容量Cは、XNUMX枚のプレートの有効面積Aに正比例します。したがって、XNUMX枚のプレートの有効面積Aが増加すると、静電容量Cも増加します。 

同様に、XNUMXつのプレートの有効面積として、Aは静電容量の値を減少させ、Cも減少します。

静電容量Cは、XNUMXつのプレート間の距離dに反比例します。 したがって、XNUMXつのプレート間の距離dが静電容量の値を増加させると、Cは減少します。 

同様に、XNUMXつのプレート間の距離dが静電容量の値を減少させると、Cは増加します。

よくある質問

1. Q：パッシブトランスデューサはどのように分類されますか？

A：トランスデューサーは大まかにiに分類できます。 iiとして使用される変換形式によって異なります。 一次および二次トランスデューサiii。 出力エネルギーが入力信号（測定される物理量）によってのみ供給されるコンポーネントは、「パッシブトランスデューサ」と呼ばれることがよくあります。

2. Q：アクティブおよびパッシブトランスデューサーとは何ですか？

A：アクティブトランスデューサは基本的に出力として電流または電圧を生成しますが、パッシブトランスデューサは出力としてパッシブパラメータの変化を示します。 アクティブトランスデューサは外部電源を必要としませんが、パッシブトランスデューサは外部エネルギー源を必要とします。

3. Q：パッシブトランスデューサーの例は何ですか？

A：パッシブトランスデューサの一般的な例としては、LDR（光依存抵抗）、サーミスタ、LVDT（線形可変差動変圧器）、ポテンショメータ、レオスタット、ひずみゲージなどがあります。

4. Q：トランスデューサーの種類は何ですか？

A：電流トランスデューサ。
磁場変換器。
圧力トランスデューサ。
圧電トランスデューサ。
熱電対。
電気機械変換器。
相互誘導トランスデューサ。
ひずみゲージ。

まとめ

このブログでは、抵抗型トランスデューサー、誘導型トランスデューサー、容量性トランスデューサーのXNUMXつの主要なタイプのパッシブトランスデューサーについて説明しました。 このブログは、これらXNUMX種類のトランスデューサーを明確に理解するのに大いに役立ちます。 

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