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FMUSERオリジナルの新しいSD2931-11 RFパワートランジスタハイパワーゲイン20V MOSFETトランジスタ
FMUSER オリジナルの新しい SD2931-11 RF パワー トランジスタの高い電力利得 20V MOSFET トランジスタ 説明: SD2931-11 は、金で金属化された N チャネル MOS 電界効果 RF パワー トランジスタです。 標準の SD2931 MOSFET と電気的に同一であるため、最大 50 MHz までの 230 V DC 大信号アプリケーションでの使用を目的としています。 SD2931-11 は SD2931 と機械的に互換性がありますが、さらに優れた熱性能 (熱抵抗が 25% 低い) を提供し、信頼性と堅牢性が重要な要素となる ISM アプリケーション向けのクラス最高のトランジスタを表します。 特徴: * 金メタライゼーション * 優れた熱安定性 * 共通ソース
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSERオリジナルの新しいSD2931-11 RFパワートランジスタハイパワーゲイン20V MOSFETトランジスタ
説明:
SD2931-11は、金メッキされたNチャネルです。 MOS電界効果RFパワートランジスタ。 であること 標準のSD2931と電気的に同一 MOSFET、50 V dc大での使用を目的としています 230 MHzまでの信号アプリケーション。 SD2931-11は、機械的に互換性があります SD2931が、さらに優れた熱を提供します 機能（25％熱抵抗が低い）、 ISMのクラス最高のトランジスタを代表 信頼性と堅牢性が求められる用途 重要な要因。
特徴：
*金メッキ
* 優れた熱安定性
* 共通ソース構成
* POUT = 150 W分 14MHzで175 dBゲイン
* 低熱のための熱強化パッケージ
* 接合部温度
* ユニットにマークされたGFSおよびVGSソート
Speciafication：
* シリーズ：SD2931* 製品カテゴリ：RF MOSFETトランジスタ
* トランジスタ極性：Nチャネル
* テクノロジー：Si
* Id-連続ドレイン電流：20 A
* Vds-ドレインソース間破壊電圧：125 V
* ゲイン：15デシベル
* 出力電力：150 W
* 最低動作温度：-65 C
* 最大動作温度：+ 200 C
* 取り付けスタイル：ねじ取り付け
* 包装：バルク
* 構成：シングルデュアルソース
* 高さ：7.11 mm（最大）
* 長さ：24.89 mm（最大）
* 動作周波数：230 MHz
* 幅：12.83 mm（最大）
* チャンネルモード：強化
* Pd-消費電力：389 W
* Vgs-ゲートソース間電圧：20 V
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