超小型ゲートドライバーが誤ったトリガーを解決

インフィニオンは、SMPSでパワーMOSFETがオンまたはオフになるたびに寄生インダクタンスによって引き起こされる誤トリガーを防止するゲートドライバICを開発しました

インフィニオンテクノロジーズAGは、スイッチングモード電源（SMPS）でパワーMOSFETがオンまたはオフになるたびにグランドシフトを発生させる寄生インダクタンスによる誤トリガーを防止する超小型ゲートドライバーICを開発しました。 TDI（真の差動入力）を備えたEiceDRIVER 1EDN、XNUMXチャネルゲートドライバーファミリーは、高電力密度および高効率設計向けに設計されています。

新しい1EDN7550Uデバイスは、超小型（1.5×1.1×0.39 mm）の5ピンリードレスTSNPパッケージに収容されており、SOT-23パッケージのファミリデバイスよりもXNUMX倍小さいPCB領域を占有します。

インフィニオンによると、アプリケーションレベルの3.3 V PWM入力信号により、EiceDRIVER 1EDN TDIは、最大±70 Vの静的グラウンドシフトと±150 Vピークの過渡的グラウンドシフトに耐えることができます。

小型サイズとグラウンドシフトの堅牢性の組み合わせにより、これらの48つのゲートドライバーICをXNUMX Vハーフブリッジ構成で動作させることができます。 「設計者は、これらのゲートドライバーICをPCBレイアウトに自由に配置できます。これは、業界をリードする電力密度を実現するための鍵となります」とインフィニオンは述べています。

EiceDRIVER 1EDN7550Uは、リードレスTSNPパッケージで提供され、25 Vおよび40 V OptiMOS MOSFETが1.2 MHzのスイッチング周波数でスイッチドキャパシタトポロジで動作できるようにします。 Infineonによると、このようなアプリケーションでは、3,060 W / in.3の高電力密度と97.1％のピーク効率（補助損失を含む）が可能です。

EiceDRIVER 1EDN TDIファミリは、標準のSOT-23 XNUMXピンパッケージと新しいXNUMXピンTSNPパッケージで提供されます。

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