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FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性N-チャネルエンハンスメント-モード横型MOSFETトランジスタ
FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性NチャネルエンハンスメントモードラテラルMOSFETトランジスタの説明これらの高耐久性デバイスは、高VSWR産業用（レーザーおよびプラズマ励起装置を含む）、放送（アナログおよびデジタル）、航空宇宙およびラジオ/陸上で使用するように設計されています。モバイルアプリケーション。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。 標準性能：VDD = 50 Vdcパラメータ値●周波数（最小）（MHz）：1.8●周波数（最大）（MHz）：600●供給電圧（Typ）（V）：50●P1dB（Typ）（dBm）：51.8 ●P1dB（Typ）（W）：150●出力電力（Typ）（W）@テスト信号での相互変調レベル：CW @
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 126 | 1 | 0 | 126 | DHL |
FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性N--チャネルエンハンスメントモード横型MOSFETトランジスタ
説明
これらの高耐久性デバイスは、高VSWRで使用するように設計されています 産業用（レーザーおよびプラズマ励起装置を含む）、放送（アナログおよびデジタル）、 航空宇宙およびラジオ/陸上モバイルアプリケーション。 それらは比類のない入力であり、 1.8〜の広い周波数範囲の使用を可能にする出力設計 600 MHz。
標準的な性能：VDD = 50 Vdc
値
●周波数（最小）（MHz）： 1.8
● 周波数（最大）（MHz）： 600
● 電源電圧（Typ）（V）： 50
● P1dB（標準）（dBm）： 51.8
● P1dB（標準）（W）： 150
● 出力信号（標準）（W）@テスト信号での相互変調レベル： CW @ 150.0
● テスト信号： CW
● 電力利得（標準）（dB）@ f（MHz）： 230 26.3 @
● 効率（標準）（％）： 72
● 熱抵抗（仕様）（℃/ W）： 0.21
● マッチング： 比類のない
● クラス： AB
● ダイテクノロジー： LDMOS
テープ＆リール。 R1サフィックス= 500単位、44 mmテープ幅、13インチリール
放送用のFM / TV機器を購入したい場合は、メールでお気軽にお問い合わせください。 [メール保護].
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