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FMUSERオリジナルMRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタNチャネル
FMUSERオリジナルMRF173CQ28V 50mA 150MHz 80W RFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタNチャネル機能：●部品番号MRF173CQ●説明FET RF 65V 150MHZ316-01●詳細説明RFMosfetNチャネル28V50mA 150MHz 13dB 80W 316-01、スタイル2 ●データセットMRF173CQ●環境情報RoHS証明書●HTMLデータセットMRF173CQ説明：●パッケージング：トレイ●部品ステータス：アクティブ●トランジスタタイプ：Nチャネル●周波数：150MHz●ゲイン：13dB●電圧-テスト：28V●定格電流（アンプ） ：9A●雑音指数：1.5dB●電流-テスト：50mA●電力-出力：80W●電圧
Detail
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FMUSERオリジナルMRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタNチャネル
特徴：
● 部品番号 MRF173CQ
● 説明 FET RF 65V 150MHZ 316-01● 詳細な説明 RF Mosfet Nチャネル28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01、スタイル2
● データシート MRF173CQ
● 環境情報 RoHS認証
● HTMLデータシート MRF173CQ
● 梱包 ：トレイ
● パーツステータス： アクティブ
● トランジスタタイプ： Nチャンネル
● 対応周波数： 150MHz
● 利得： 13dB
● 電圧 - テスト：28V
● 現在の定格（アンペア）：9A
● 雑音指数：1.5dB
● 電流 - テスト：50mA
● 電源 - 出力：80W
● 電圧 - 定格：65V
アプリケーション：
最大200 MHzの周波数範囲のブロードバンド商用および軍用アプリケーション向けに設計されています。 このデバイスのハイパワー、ハイゲイン、およびブロードバンドの性能により、FM放送またはTVチャネルの周波数帯域、NチャネルエンハンスメントモードMOSFET用のソリッドステートトランスミッターが可能になります。
パラメーター：
NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
●150 MHz、28 Vでの保証性能：
出力電力= 80 W
ゲイン= 11 dB（13 dB typ。）
効率= 55％最小 （標準60％）
●低熱抵抗
●定格出力電力でテストされた堅牢性
●エンハンスメントのための窒化物不動態化ダイ
●edの信頼性
●低雑音指数— 1.5 dB typ。 2.0 A、150 MHz
●優れた熱安定性。 クラスA動作に適しています
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