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FUMSERオリジナルMRF154高周波金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
FUMSERオリジナルMRF154無線周波数金属酸化物半導体電界効果トランジスタ説明：-製品カテゴリ：RF金属酸化物半導体電界効果（RF MOSFET）トランジスタ-トランジスタ極性：Nチャネル-技術：Si --Id-連続ドレイン電流： 60 A --Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧：125 V-ゲイン：17 dB-出力電力：600 W-最低動作温度：-65 C-最高動作温度：+ 150C-パッケージ/ボックス：368-3-構成：シングル-動作周波数：80 MHz-タイプ：RFパワーMOSFET-商標：MACOM-Pd-電力損失：1.35 kW-製品タイプ：RFMOSFETトランジスタ-工場梱包数量：1-サブカテゴリ：MOSFET --Vgs-ゲート-ソース電圧：40 V --Vgs th- gat
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
FUMSERオリジナルMRF154高周波金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
説明:
-トランジスタ極性：Nチャネル
-テクノロジー：Si
--Id-連続ドレイン電流：60 A
--Vds-ドレイン-ソース降伏電圧：125 V
-ゲイン：17 dB
-出力電力：600 W
-最低動作温度：-65 C
-最高使用温度：+ 150 C
-パッケージ/箱：368-3
-構成：シングル
-動作周波数：80 MHz
-タイプ：RFパワーMOSFET
-商標：MACOM
--Pd電力損失：1.35 kW
-製品タイプ：RF MOSFETトランジスタ
-工場梱包数量：1
-サブカテゴリ：MOSFET
--Vgs-ゲート-ソース電圧：40 V
--Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：3 V
-単位重量：122.795 g
特徴：
--N–チャンネルエンハンスメントモードMOSFET
-指定された50ボルト、30MHzの特性-出力電力= 600ワット、電力ゲイン= 17 dB（標準）、効率= 45％（標準）
-最小周波数：2 MHz
-最大周波数：100 MHz
-注ぎ口：600 W
-ゲイン：17 dB
-効率：45％
アプリケーション：
-航空宇宙および防衛
--イズム
パッケージに含まれるもの：
1 * MRF154トランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
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