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FMUSERオリジナルの新しいMRF171ARFパワートランジスタパワーMOSFET
FMUSER オリジナルの新しい MRF171A RF パワー トランジスタ パワー MOSFET トランジスタの説明 主に 30 ～ 200 MHz の広帯域大信号出力およびドライバ段用に設計されています。 特長 ●N チャネルエンハンスメントモード MOSFET ●Cass A 動作に適した優れた熱安定性 ●150 MHz、28 Vdc での性能保証: 出力電力 = 45 W、 ●電力利得 = 17 dB (最小)' 効率 = 60% (最小) ●産業用パワーアンプアプリケーションの代表的なデータ、 ●商用およびアマチュア無線機器: ●30 MHz、28 Vdc での代表的な性能: 出力電力 = 30 W、電力 ●ゲイン = 20 dB (代表値) (PEP)、効率 = 50 % (代表値)、IMD(d3) (30 W PEP) –32 dB (
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 56 | 1 | 0 | 56 | 航空便 |
FMUSER オリジナル 新品 MRF171A RFパワートランジスタパワーMOSFET トランジスタ
説明
主に広帯域の大信号出力とドライバー用に設計 30 ～ 200 MHz のステージ。
特徴
●NチャネルエンハンスメントモードMOSFET●優れた熱安定性でCass A運用に最適
●150 MHz、28 Vdc での性能保証: 出力電力 = 45 W、
●電力利得 = 17 dB (最小) 効率 = 60% (最小)
●産業用パワーアンプアプリケーションの代表的なデータ
●商用およびアマチュア無線機器:
●30 MHz、28 Vdc での標準的な性能: 出力電力 = 30 W、電力
●ゲイン = 20 dB (標準) (PEP)、効率 = 50% (標準)、IMD(d3) (30 W) PEP) -32 dB (標準値)●ゴールドトップメタル
●低Crss – 8 pF @ VDS = 28 V
●100:30 VSWR ですべての位相角で負荷の不一致について 1% テスト済み
●手動ゲイン制御、ALC、変調技術を容易にします
アプリケーション
● 航空宇宙および防衛● ISM
1x MRF171A RF パワートランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 56 | 1 | 0 | 56 | 航空便 |
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