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MRFE6VP5300NRFパワーMOSFETトランジスタ
MRFE6VP5300N RFパワーMOSFETトランジスタ説明これらの高耐久性デバイス、MRFE6VP5300NR1およびMRFE6VP5300GNR1は、高VSWR産業用（レーザーおよびプラズマ励起装置を含む）、放送（アナログおよびデジタル）、航空宇宙および無線/陸上モバイルアプリケーションで使用するように設計されています。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。 特徴●広い動作周波数範囲●非常に頑丈●比類のない入力と出力により広い周波数範囲を利用可能●統合された安定性の強化●低い熱抵抗●統合されたESD保護回路●RoHS準拠●テープとリール。 R1サフィックス= 500ユニット、44 mmテープ幅、13インチリール。 主要なパラメトリック
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N RFパワーMOSFETトランジスタ
説明
これらの高耐久性デバイス、MRFE6VP5300NR1およびMRFE6VP5300GNR1は、高VSWR産業（レーザーおよびプラズマエキサイターを含む）、放送（アナログおよびデジタル）、航空宇宙およびラジオ/陸上モバイルアプリケーションで使用するために設計されています。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。特徴
●広い動作周波数範囲
●極端な頑丈さ
●幅広い周波数範囲の使用を可能にする比類のない入力と出力
●統合された安定性の強化
●低い熱抵抗
●統合ESD保護回路
●RoHS対応
●テープとリールで。 R1接尾辞= 500単位、44 mmテープ幅、13インチリール。
主なパラメーター
●周波数（最小）1.8（MHz）
●周波数（最大）600（MHz）
●供給電圧（Typ）50（V）
●P1dB（標準）54.8（dBm）
●P1dB（標準）300（W）
●出力電力（Typ）（W）@テスト信号での相互変調レベル300.0 @ CW
●テスト信号CW
●パワーゲイン（標準）25.0 @ 230（dB）@ f（MHz）
●効率（標準）70（％）
●熱抵抗（仕様）0.22（℃/ W）
パッケージは下記のものを含んで
1x MRFE6VP5300N RFトランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
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