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FMUSERオリジナルの新しいMRF6V2150NBSMDRFパワートランジスタチューブ高周波チューブパワー増幅モジュールパワーMOSFETトランジスタ
FMUSERオリジナルの新しいMRF6V2150NBSMDRFパワートランジスタチューブ高周波チューブパワー増幅モジュールパワーMOSFETトランジスタFMUSERオリジナルの新しいMRF6V2150NBRFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタは、主に広帯域大信号出力および最大450MHzの周波数のドライバアプリケーション用に設計されています。 デバイスは比類のないものであり、産業、医療、科学アプリケーションでの使用に適しています製品の詳細：部品番号：MRF6V2150NB説明：ラテラルNチャネルシングルエンドブロードバンドRFパワーMOSFET、10-450 MHz、150 W、50 V機能：標準的なCW性能220 MHzの場合：VDD = 50ボルト、IDQ = 450 mA、Pout = 150ワットPow
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 89 | 1 | 0 | 89 | 航空郵便の配送 |
FMUSERオリジナルの新しいMRF6V2150NBSMD RF Powerトランジスタチューブ高周波チューブパワー増幅モジュールパワーMOSFETトランジスタ
FMUSERオリジナルの新しいMRF6V2150NB RFパワートランジスタパワーMOSFETトランジスタd主に広帯域大信号出力およびドライバーアプリケーション用に設計されています最大450MHzの周波数で。 デバイスは比類のないものであり、産業、医療、科学アプリケーションでの使用
商品の詳細：
Pアート番号：MRF6V2150NB
特徴：
220 MHzでの標準的なCWパフォーマンス：VDD = 50ボルト、IDQ = 450 mA、Pout = 150ワット
パワーゲイン：25.5dB
排水効率：69％
10：1 VSWR、@ 50 Vdc、210 MHz、150ワットの出力電力を処理可能
統合ESD保護
優れた熱安定性
手動ゲイン制御、ALC、および変調技術を容易にします
225°C対応プラスチックパッケージ
RoHS対応
一般的なパラメータ：
保管温度：-65〜150度
1xMRF6V2150NB. RFパワートランジスタ
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 89 | 1 | 0 | 89 | 航空郵便の配送 |
