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FMUSERオリジナルMRF151To-59高周波チューブ150W、50 V、175 MHzNチャネルブロードバンドMOSFETRF電力電界効果トランジスタ
FMUSERオリジナルのMRF151To-59高周波チューブ150W、50 V、175 MHzNチャネルブロードバンドMOSFETRF電界効果トランジスタの概要MRFシリーズデバイスは、高性能の1MHz〜3.5GHzバイポーラRFトランジスタです。 これらのTechバイポーラトランジスタは、アビオニクス、通信、レーダー、および産業、科学、医療アプリケーションに最適です。 MRFシリーズデバイスは、パレット増幅器、TMOSおよびDMOSトランジスタ、LDMOSトランジスタを含む幅広いRFパワートランジスタの一部です。 特徴●30MHz、50 Vでの保証されたパフォーマンス:●出力電力— 150 W●ゲイン— 18 dB(22 dB Typ)●効率— 40%●175 MHz、50 Vでの標準パフォーマンス:●Ou
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価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
149 | 1 | 0 | 149 | DHL |
FMUSERオリジナルMRF151To-59高周波チューブ
150 W、50 V、175 MHz NチャネルブロードバンドMOSFET RFパワー電界効果トランジスタ
概要
MRFシリーズデバイスは、高性能の1MHz〜3.5GHzバイポーラRFトランジスタです。 これらのTechバイポーラトランジスタは、アビオニクス、通信、レーダー、および産業、科学、医療アプリケーションに最適です。 MRFシリーズデバイスは、パレットアンプ、TMOSおよびDMOSトランジスタ、LDMOSトランジスタを含む幅広いRFパワートランジスタの一部です。
●30 MHz、50 Vでの保証性能:
● 出力パワー— 150 W
● ゲイン— 18 dB(22 dB Typ)
● 効率— 40%
● 175 MHz、50 Vでの標準的なパフォーマンス:
● 出力パワー— 150 W
● ゲイン— 13 dB
● 低い熱抵抗
● 定格出力電力でテストされた堅牢性
● 窒化物不動態化ダイにより信頼性が向上
説明
RFMOSFETトランジスタ5-175MHz150ワット50ボルトゲイン18dB。 175MHzまでの周波数でのブロードバンド商用および軍事アプリケーション向けに設計されています。 このデバイスの高出力、高ゲイン、およびブロードバンドパフォーマンスにより、FM放送またはTVチャネル周波数帯域用のソリッドステート送信機が可能になります。
製品仕様
● 製品カテゴリ: RF MOSFETトランジスタ
● トランジスタ極性: Nチャンネル
● Id-連続ドレイン電流: 16 A
● Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧: 125 V
● 利得: 13 dB
● 出力電力: 150 W
● 最小動作温度: -65 C
● 最高使用温度: + 150℃
● 取り付け様式: SMD / SMT
● パッケージ/ケース: 221-11-3
● 包装: トレイ
● 構成: 単発講座
● 動作周波数: 175 MHz
● Pd-電力損失: 300 W
● 商品の種類: RF MOSFETトランジスタ
● 工場パックの数量: 20
● サブカテゴリ: MOSFET
● Vgs-ゲート-ソース電圧: 40 V
● Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 3 V
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
149 | 1 | 0 | 149 | DHL |