FMUSERオリジナルSD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET NチャネルMOS電界効果ブロードバンドRF電力電界効果トランジスタRFトランジスタFMUSER FM / TVブロードキャストワンストップサプライヤー

FMUSERオリジナルSD2941-10HF / VHF / UHF MOSFET NチャネルMOS電界効果広帯域RF電力電界効果トランジスタ説明SD2941-10は、金で金属化されたNチャネルMOS電界効果RFパワートランジスタであり、 28 MHzまでの50V〜230 VDC大信号アプリケーション。業界標準よりも25％低いRDS（on）を提供し、STのSD20-2931デバイスよりも10％高いPSATを提供します。 SD2941-10は、低熱M174非ペデスタルパッケージに収容されており、業界標準よりも25％低い熱抵抗を提供するため、信頼性と耐久性が重要な要素であるISMアプリケーション向けの「クラス最高」のトランジスタになります。。具体的に

Detail

前：FMUSERオリジナルMRF151To-59高周波チューブ150W、50 V、175 MHzNチャネルブロードバンドMOSFETRF電力電界効果トランジスタ

次の投稿：FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性N-チャネルエンハンスメント-モード横型MOSFETトランジスタ

価格（USD）	数量（PCS）	送料（USD）	合計（USD）	配送方法	お支払について
79	1	0	79	航空便
				航空便

FMUSERオリジナル SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETNチャネル MOS電界効果 ブロードバンド RFパワーの電界効果トランジスタ

説明
SD2941-10は、金でメタライズされたNチャネルです。 MOS電界効果RFパワートランジスタ、 28 V〜50 V DCの大信号アプリケーションで使用 230 MHzまで。それは25％低いRDS（on）を提供します業界標準、PSATよりも20％高いPSAT STのSD2931-10デバイス。 SD2941-10は低熱M174非台座に収納パッケージ、25％低い熱抵抗を提供業界標準よりも高いため、 ISMアプリケーション向けの「クラス最高」のトランジスタ信頼性と堅牢性が重要な場合要因。

仕様

● 製品カテゴリ：RF MOSFETトランジスタ
● トランジスタ極性：Nチャネル
● Id-連続ドレイン電流：20 A
● Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧：130 V
● ゲイン：15.8 dB
● 出力電力：175 W
● 最低動作温度：-65 C
● 最高使用温度：+ 150 C
● 取り付けスタイル：SMD / SMT
● パッケージ/ケース：M174
● 包装：バルク
● 構成：シングル
● 身長：7.11ミリ
● 長さ：24.89ミリ
● 動作周波数：230 MHz
● シリーズ：SD2941
● タイプ：RFパワーMOSFET
● 幅：12.83ミリ
● 順方向トランスコンダクタンス-最小：6 S
● チャネルモード：拡張
● Pd-電力損失：389 W
● 製品タイプ：RF MOSFETトランジスタ
● 工場パック数量：25
● サブカテゴリ：MOSFET
● Vgs-ゲート-ソース間電圧：20 V

特徴
● 金のメタライゼーション
● 優れた熱安定性
● 共通ソース構成
● POUT = 175 W分。 15 dBゲイン@ 175
MHz、50 V
● POUT = 135 W typ。 14 MHzで123 dBのゲイン、
28 V
● 低RDS（オン）
● 低熱のための熱強化パッケージ
● 接合部温度
● 2002/95 / EC1欧州規格に準拠
指令