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FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性N-チャネルエンハンスメント-モード横型MOSFETトランジスタ
FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性NチャネルエンハンスメントモードラテラルMOSFETトランジスタの説明これらの高耐久性デバイスは、高VSWR産業用(レーザーおよびプラズマ励起装置を含む)、放送(アナログおよびデジタル)、航空宇宙およびラジオ/陸上で使用するように設計されています。モバイルアプリケーション。 これらは比類のない入力および出力設計であり、1.8〜600MHzの広い周波数範囲を利用できます。 標準性能:VDD = 50 Vdcパラメータ値●周波数(最小)(MHz):1.8●周波数(最大)(MHz):600●供給電圧(Typ)(V):50●P1dB(Typ)(dBm):51.8 ●P1dB(Typ)(W):150●出力電力(Typ)(W)@テスト信号での相互変調レベル:CW @
Detail
価格(USD) | 数量(PCS) | 送料(USD) | 合計(USD) | 配送方法 | お支払について |
126 | 1 | 0 | 126 | DHL |
FMUSER MRFE6VP5150N RFパワーLDMOSトランジスタ高耐久性N--チャネルエンハンスメントモード横型MOSFETトランジスタ
説明
これらの高耐久性デバイスは、高VSWRで使用するように設計されています 産業用(レーザーおよびプラズマ励起装置を含む)、放送(アナログおよびデジタル)、 航空宇宙およびラジオ/陸上モバイルアプリケーション。 それらは比類のない入力であり、 1.8〜の広い周波数範囲の使用を可能にする出力設計 600 MHz。
標準的な性能:VDD = 50 Vdc
値
●周波数(最小)(MHz): 1.8
● 周波数(最大)(MHz): 600
● 電源電圧(Typ)(V): 50
● P1dB(標準)(dBm): 51.8
● P1dB(標準)(W): 150
● 出力信号(標準)(W)@テスト信号での相互変調レベル: CW @ 150.0
● テスト信号: CW
● 電力利得(標準)(dB)@ f(MHz): 230 26.3 @
● 効率(標準)(%): 72
● 熱抵抗(仕様)(℃/ W): 0.21
● マッチング: 比類のない
● クラス: AB
● ダイテクノロジー: LDMOS
テープ&リール。 R1サフィックス= 500単位、44 mmテープ幅、13インチリール
放送用のFM / TV機器を購入したい場合は、メールでお気軽にお問い合わせください。 [メール保護].
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