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FMUSERオリジナルの新しいSD2932 RFパワートランジスタ高電力ゲイン50V MOSFETトランジスタ
FMUSERオリジナルの新しいSD2932RFパワートランジスタ高電力ゲイン50VMOSFETトランジスタの特徴●金のメタライゼーション●優れた熱安定性●ソース接地のプッシュプル構成●POUT = 300 Wmin。 15dBゲイン@ 175MHz説明FMUSERSD2932は、金で金属化されたNチャネルMOS電界効果RFパワートランジスタで、最大50MHzの250VDC大信号アプリケーションに使用される優れた熱安定性を備えています。 仕様：●製品カテゴリ：RF MOSFETトランジスタ●トランジスタ極性：Nチャネル●Id-連続ドレイン電流：40A●Vds-ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧：125V●ゲイン：15dB●出力電力：300W●最小動作温度：-65C●最高動作温度：+ 150C●取り付けスタイル：SMD / SMT
Detail
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 199 | 1 | 0 | 199 | DHL |
FMUSERオリジナルの新しいSD2932 RFパワートランジスタ高電力ゲイン50V MOSFETトランジスタ
Fエッセー
●金のメタライゼーション●優れた熱安定性
●共通ソースのプッシュプル構成
●POUT = 300 W分。 15 dBゲイン@ 175
メガヘルツ
FMUSER SD2932は、金で金属化されたNチャネルMOS電界効果RFパワートランジスタであり、最大50MHzの250VDC大信号アプリケーションに使用される優れた熱安定性を備えています。
Speciafication：
●製品カテゴリ：RF MOSFETトランジスタ●トランジスタ極性：Nチャネル
●Id-連続ドレイン電流：40 A
●Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧：125 V
●ゲイン：15 dB
●出力電力：300 W
●最低動作温度：-65 C
●最高使用温度：+ 150 C
●取り付けスタイル：SMD / SMT
●パッケージ/ケース：M244
●包装：トレイ
●構成：シングル
●動作周波数：250 MHz
●タイプ：RFパワーMOSFET
●Pd-電力損失：500 W
●製品タイプ：RF MOSFETトランジスタ
●サブカテゴリ：MOSFET
●Vgs-ゲート-ソース間電圧：5 V
| 価格（USD） | 数量（PCS） | 送料（USD） | 合計（USD） | 配送方法 | お支払について |
| 199 | 1 | 0 | 199 | DHL |
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