FMUSERオリジナルMRF151To-59高周波チューブ150W、50 V、175 MHzNチャネルブロードバンドMOSFETRF電力電界効果トランジスタ-RFトランジスタ-FMUSERFM / TV放送ワンストップサプライヤー

FMUSERオリジナルのMRF151To-59高周波チューブ150W、50 V、175 MHzNチャネルブロードバンドMOSFETRF電界効果トランジスタの概要MRFシリーズデバイスは、高性能の1MHz〜3.5GHzバイポーラRFトランジスタです。これらのTechバイポーラトランジスタは、アビオニクス、通信、レーダー、および産業、科学、医療アプリケーションに最適です。 MRFシリーズデバイスは、パレット増幅器、TMOSおよびDMOSトランジスタ、LDMOSトランジスタを含む幅広いRFパワートランジスタの一部です。特徴●30MHz、50 Vでの保証されたパフォーマンス：●出力電力— 150 W●ゲイン— 18 dB（22 dB Typ）●効率— 40％●175 MHz、50 Vでの標準パフォーマンス：●Ou

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FMUSERオリジナルMRF151To-59高周波チューブ

150 W、50 V、175 MHz NチャネルブロードバンドMOSFET RFパワー電界効果トランジスタ

概要

MRFシリーズデバイスは、高性能の1MHz〜3.5GHzバイポーラRFトランジスタです。これらのTechバイポーラトランジスタは、アビオニクス、通信、レーダー、および産業、科学、医療アプリケーションに最適です。 MRFシリーズデバイスは、パレットアンプ、TMOSおよびDMOSトランジスタ、LDMOSトランジスタを含む幅広いRFパワートランジスタの一部です。

特徴

●30 MHz、50 Vでの保証性能：
● 出力パワー— 150 W
● ゲイン— 18 dB（22 dB Typ）
● 効率— 40％
● 175 MHz、50 Vでの標準的なパフォーマンス：
● 出力パワー— 150 W
● ゲイン— 13 dB

● 低い熱抵抗
● 定格出力電力でテストされた堅牢性
● 窒化物不動態化ダイにより信頼性が向上

説明

RFMOSFETトランジスタ5-175MHz150ワット50ボルトゲイン18dB。 175MHzまでの周波数でのブロードバンド商用および軍事アプリケーション向けに設計されています。このデバイスの高出力、高ゲイン、およびブロードバンドパフォーマンスにより、FM放送またはTVチャネル周波数帯域用のソリッドステート送信機が可能になります。

製品仕様

● 製品カテゴリ： RF MOSFETトランジスタ
● トランジスタ極性： Nチャンネル
● Id-連続ドレイン電流： 16 A
● Vds-ドレイン-ソースブレークダウン電圧： 125 V
● 利得： 13 dB
● 出力電力： 150 W
● 最小動作温度： -65 C
● 最高使用温度： + 150℃
● 取り付け様式： SMD / SMT
● パッケージ/ケース： 221-11-3
● 包装：トレイ
● 構成：単発講座
● 動作周波数： 175 MHz
● Pd-電力損失： 300 W
● 商品の種類： RF MOSFETトランジスタ
● 工場パックの数量： 20
● サブカテゴリ： MOSFET
● Vgs-ゲート-ソース電圧： 40 V
● Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧： 3 V